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투신자살한 삼성전자 부사장급 이모사장은

1981년 서울대 전자공학과를 졸업하고, 1983년 KAIST 석사, 1989년 스탠포드대 전자공학 박사학위를 취득하였으며, 1992년 삼성에 입사한 후 반도체 DRAM과 Flash 메모리 분야의 공정혁신 기술개발 선도해 왔다.

- 반도체 메모리 Process Architecture 분야의 세계 최고 전문가

· DRAM과 Flash Memory 전분야에서 개발과 양산기술을 보유해 양 제품의 공정 호환성을 추진하고, 210나노/190나노/110나노 등 DRAM과 90나노/73나노/63나노 등 Flash Memory 양산에서의 개발상 난제에도 불구하고 공정혁신 기술개발을 통해 수익률 향상에 기여하고 새로운 기술방향을 제시했다.

· NAND Flash 기술의 사업화 과정에서 혁신적인 공정단순화를 통한 투자 절감 및 고수익의 MLC(Multi Level Cell) 기술을 개발, 현재 업계 최소 공정표준규격(Design Rule)의 63nm 8G MLC 제품을 출시했다.